【摘 要】
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为了探讨DMQA掺杂浓度对有机发光器件（OLEDs）光电性能的影响,采用器件结构ITO/PEDOT：PSS/TPD/Alq3：DMQA/LiF/Al,在0.28~4.5 wt%范围内改变DMQA的掺杂浓度,考察了器件的光电性能变
【机 构】
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深圳大学光电子器件与系统（教育部、广东省）重点实验室
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为了探讨DMQA掺杂浓度对有机发光器件（OLEDs）光电性能的影响,采用器件结构ITO/PEDOT：PSS/TPD/Alq3：DMQA/LiF/Al,在0.28~4.5 wt%范围内改变DMQA的掺杂浓度,考察了器件的光电性能变化。结果显示,随着升高DMQA掺杂浓度,器件表现为电流略有下降,说明DMQA对载流子传输起阻挡或者陷阱作用;器件发光效率下降明显,说明DMQA分子间作用力较强,存在浓度淬灭效应,而且,器件发光光谱在570~610 nm区间存在肩峰,其强度随着DMQA浓度增加逐步增大,据此推断该肩峰
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