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将亚洲苦草（Vallisneria asiatica Miki L.）幼苗植株种植于浊度分别为30NTU、60NTU和90NTU的悬浮泥沙水体中,统计各处理苦草幼苗的生长发育状况,并使用水下饱和脉冲叶绿素荧光仪（DIVING-PAM）测定PSⅡ最大量子产量（FV/Fm）、实际光化学效率（Yield）、光化学荧光淬灭系数（qP）、非光化学荧光淬灭系数（qN）、表观电子传递效率（ETR）以及快速光响应曲线。结果表明,实验第5天,悬浮泥沙对于苦草幼苗的存活、生长发育及光合作用影响不显著（p〉0.05）,苦草幼苗