【摘 要】
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据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的GaAs基绝缘栅掺杂沟道异质结构（如图）。其半导
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据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的GaAs基绝缘栅掺杂沟道异质结构（如图）。其半导体叠层组成为Si掺杂CaAs层（源、漏极下），无掺杂GaAs层（栅极下的绝缘层），Si掺杂InGaAs层（
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