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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的制作工艺,通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
新颖型弹性膜硅加速度传感器芯片的应用
【摘 要】
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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的制作工艺,通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
【机 构】
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湖南工程学院数理系
【出 处】
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电子质量
【发表日期】
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2003年8期
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