【摘 要】
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采用0.35μm双栅标准CMOS工艺设计和制备了叶型硅发光器件。叶型硅发光器件由3个楔型器件的组合而成,pn结结构为n阱/p＋结。使用奥林巴斯IC显微镜测得了器件的显微图形,并对器
【机 构】
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天津工业大学电气工程与自动化学院,半导体照明工程研发中心
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采用0.35μm双栅标准CMOS工艺设计和制备了叶型硅发光器件。叶型硅发光器件由3个楔型器件的组合而成,pn结结构为n阱/p＋结。使用奥林巴斯IC显微镜测得了器件的显微图形,并对器件进行了电学特性测试。器件工作在雪崩击穿下,开启电压为8.8 V,能够发出黄色可见光;正向偏置下,器件开启电压为0.8 V。在与已经制备的楔型器件比较时发现,器件发光受串联电阻分压影响,并且有点增强发光现象,这些情况均与器件的电极布局有关。
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