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氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究

来源 :首届X射线管学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leon7779
【摘 要】
：
冷阴极在X射线源中有重要应用.本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列.制备所得的WO3纳米线具有较
【作 者】
：
陈道坤 许卓 刘飞 邓少芝 许宁生 陈军 
【机 构】
：
光电材料与技术国家重点实验室中山大学物理科学与工程技术学院,广东广州510275
【出 处】
：
首届X射线管学术会议
【发表日期】
：
2014年9期
【关键词】
：
半导体材料 氧化钨纳米线 热氧化技术 场发射特性 
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冷阴极在X射线源中有重要应用.本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列.制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比.场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9 V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中.
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