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采用表面光伏谱方法，测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应。结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认，分析了量子阱内子能级间的跃迁能量，强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系。
InGaAs／GaAs应变单量子阱的表面光伏谱
【摘 要】
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采用表面光伏谱方法，测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应。结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认，分析了量子阱内子能级间的跃迁能量，强度及跃迁峰半宽随温度的变
【机 构】
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厦门大学物理学系
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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国家和福建省自然科学基金
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