,Ultralow Specific on-Resistance Trench MOSFET with a U-Shaped Extended Gate

来源 :中国物理快报（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：panlihuang

【作者】

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【机构】

：

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Scien

【出处】

：

中国物理快报（英文版）

【发表日期】

：

2015年6期

【关键词】

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