【摘 要】
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本文从欧姆接触的基本理论出发,利用溅射Ti-Pt的方法,对p型GaAs和p-InP的欧姆接触进行了研究。得到了比接触电R_c与Ti-Pt膜总厚度以及与Ti膜厚度关系曲线,并对此进行了分析。
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本文从欧姆接触的基本理论出发,利用溅射Ti-Pt的方法,对p型GaAs和p-InP的欧姆接触进行了研究。得到了比接触电R_c与Ti-Pt膜总厚度以及与Ti膜厚度关系曲线,并对此进行了分析。与此同时,还对该系统的热稳定性进行了研究。结果表明,该系统的欧姆接触具有良好的性能。
In this paper, starting from the basic theory of ohmic contact, ohmic contact between p-type GaAs and p-InP is studied by sputtering Ti-Pt. The relationship between the total thickness of Ti-Pt film and the thickness of Ti-Pt film was obtained and analyzed. At the same time, the thermal stability of the system was also studied. The results show that the system ohmic contact with good performance.
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