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目的本研究通过绘制TE缓冲液的伏安曲线和电流一时间曲线．对芯片内TE缓冲液的伏安特性和稳定性进行了讨论。方法对高场强下TE缓冲液体系的电流变化进行监测。结果在本实验加电压范围之内（0～5000V），不同PH值的TE缓冲液在同一芯片上均显示出良好的伏安线性；在连续高场强的作用下，随着加压时间的延长．两种不同PH值的缓冲液的电流均显示出了相同的变化趋势：即在经过了一定的稳定期后．电流急速下降后又急速上升．且极不稳定。结论在以电渗流为驱动的芯片系统中，选用TE缓冲体系有着巨大的优势。另外，长时间的连续施加高电压