论文部分内容阅读
采用快速退火工艺在Pt／Ti／SiO2／p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响。研究表明：退火温度对S基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著，对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小，但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相；低于750℃时，薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大，高于750℃时却有所减小，但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低；退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响，薄膜的漏电流密度在200kV／cm极化电场作用下低于3×