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主要从SiO2的质量、铝金属化质量、电应力和热应力等诸多因素出发分析SiO2，表面上铝金属化层的失效模式。
二氧化硅上的铝金属化层失效模式分析
【摘 要】
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主要从SiO2的质量、铝金属化质量、电应力和热应力等诸多因素出发分析SiO2，表面上铝金属化层的失效模式。
【机 构】
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航天工业总公司半导体器件失效分析中心
【出 处】
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电子元器件应用
【发表日期】
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2003年4期
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