【摘 要】
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采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cl∶Cu2O薄膜,通过光电流（I-t）测试、莫特-肖特基（M-s）曲线测试、光电压衰减测试（V-t）,研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生
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采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cl∶Cu2O薄膜,通过光电流（I-t）测试、莫特-肖特基（M-s）曲线测试、光电压衰减测试（V-t）,研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响。结果表明当p H值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜。随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降。莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当Cu Cl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 m A/cm2（较纯氧化亚铜提高了247.6%）,载流子浓度为3.58&
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