【摘 要】
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利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si（100）衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜。场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7~8nm
【机 构】
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沈阳工业大学材料科学与工程学院,沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室
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利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si（100）衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜。场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7~8nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射线衍射谱显示沉积薄膜具有单一CrSi2点阵（111）晶面择优取向,在1.16at%到1.74at%的Ti含量范围内,随Ti含量的增加,CrSi2纳米薄膜的（111）择优取向的程度下降,同时,Ti含量增加,薄膜CrSi2点阵常数增加,这表明Ti在CrSi2晶体
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