最近实场中数码区域不少商家都在甩卖SD存储卡，什么“降无可降，PNY 1GB SD卡38元”、“历史最低，创见1GB SD卡49元送读卡器”之类的海报比比皆是。想想去年12月初，自己刚刚以85元／张的价格买了3张1GB的SD卡，短短两个月时间价格就缩水一半，真是有些“后悔莫及”。闪存卡价格已经跌至极低的水平，后期会如何变化实在让人捉摸不透。
　　
　　双重效应价格再度暴跌触底
　　
　　其实这次跌价相对市场发展趋势而言，是迟早会来的。回顾整个2007年的NAND闪存制品市场，热闹非凡但也杀声震天。从2006年年底持续对2007年年初的价格崩盘，让NAND闪存价格在短期内缩水超过50％。直到2007年第1季度苹果推出iPhone加大采购及8月三星工厂停电影响产能，才使得NAND闪存价格保持平稳到2007年9月。
　　不过，9月过后由于主要NAND闪存厂商纷纷将制程转向50nm，等于变相大幅提升了产能。外加市场整体进入淡季，因此从2007年第4季度开始，NAND闪存市场价格开始下滑。直到2007年12月中旬再度出现雪崩效应，形成现在市场中1GB SD普速卡多在40元价位的局面，合0.04元每MB的单价真是比一斤大白菜还便宜。
　　
　　看好未来闪存应用范围多多
　　
　　虽然NAND闪存价格狂跌，导致现在的NAND闪存制品价格不断创下历史新低。但是各大NAND闪存厂商在制程规划和产能扩充上依旧按照既定计划步步为营，丝毫没有打算停止增加产能的步伐——毕竟整个业界对NAND闪存的前景都非常看好。
　　从2008年起，除开被数码相机、手机等手持消费电子产品继续大量采用外，NAND闪存还将因为Vista逐步成为市场主流，而在未来被内置于所有主流台式机和笔记本电脑中。此外，NAND闪存还将以混合式硬盘或固态硬盘的形式，逐步扩大市场占有率，这也是未来最具潜力的产品模式。相关市调机构指出，这类产品在2008年的市场需求将从2007年的6，7％增长至15，3％。由于NAND闪存拥有体积小、重量轻、耗电量低、坚固、移动性高、速度快等多项优点，因此将与笔记本电脑市场紧密结合，创造一波新的NAND闪存应用高峰。
　　
　　备战升级闪存芯片供应充足
　　
　　正是因为整个业界部看好NAND闪存的未来，各个闪存厂商才都在产能及制程改进方面不遗余力。2007年年末Hynix就宣布其48nm制程技术研发完毕，将于2008年第l季度开始量产。原本精力主要集中在内存上的Hynix全面转产NAND闪存后，为了追赶三星和东芝，在短短一年间将NAND闪存制程提升了3次，由65nm转换至57nm后，现在又将转换至48nm。这些动作迫使原定于2008年第3季度量产40nm产品的三星和东芝不得不加快脚步，提前推出40nm制程。无论Hynix是否顺利量产，可以预见原本到2008年下半年才会出现的40nm制程人战，将提前至2008年上半年开打。
　　产能方面，2007年9月东芝与SanDisk合资的新12英寸晶圆厂Fab 4正式启用，成为口前全球产能最大的12英寸晶圆厂，月产能最高可达21万片。东芝也期望凭借这家新工厂在2008年打败三星，重新夺回NAND闪存的霸主宝座。而Hynix从2007年下半年开始积极布局NAND闪存市场后，不但不断提升制程技术，也在大幅提升NAND闪存生产比例，其原本以生产内存颗粒为主的Fab 10也改为全数生产NAND闪存，每月可多贡献约2万片的12英寸晶圆，这也使其NAND闪存芯片的产能更为充足。
　　
　　价格触底购买大容量产品好时机
　　
　　供求关系对闪存价格的影响一直非常明确。在Hynix、三星、东芝等几大闪存芯片厂商不断提升制程和产能的双重作用下，外加每年开头又几个月历来是市场淡季，需求并不旺盛。因此对用户而言，最起码在2008年的头几个月中，足不用太担心NAND闪存价格会上涨的。日前以最常见的SD卡及闪盘为例，每GB价格不过40元甚至更低的状况将会继续保持，4GB产品价格不足200元甚至还会更低。对用户而言，现在无疑是购买大容量闪存产品的好时机。