Structure and optical characterization of GaP-SiO2 co-sputtered films

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dldx05444011

【摘要】

：

在 SiO2 矩阵嵌入的差距 nanocrystals 的电影被共同劈啪作响的收音机频率磁控管和随后的退火技术准备。这些电影的结构和形态学被扫描电子显微镜， X 光检查衍射，和精力调查散

【作者】

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CHAI Yuesheng YANG Meihui ZHAN

【机构】

：

SchoolofMaterialsScienceandEngineering,SchoolofMaterzalsSctenceandEngineermg

【出处】

：

稀有金属：英文版

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

半导体材料纳米晶体薄膜光致发光射频振荡磁控管 semiconductor materials nanocrystal-embedded film phot

【基金项目】

：

The project is financially supported by the University Students＇ Innovation and Start-ups Special Project of Taiyuan Science and Technology Board （No. 07010759） and the Natural Science Foundation of S

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在 SiO2 矩阵嵌入的差距 nanocrystals 的电影被共同劈啪作响的收音机频率磁控管和随后的退火技术准备。这些电影的结构和形态学被扫描电子显微镜， X 光检查衍射，和精力调查散光谱。拉曼系列结果证明横向的光声子当模特儿(到) 并且差距 nanocrystals 的纵的光声子模型(LO ) 两个都被发现经历红移动，拓宽，并且不对称现象。TO 模型的红移动度是大约 8.8 厘米 ? 1。GaP/SiO2 电影的光光谱由几座排放山峰组成了。2.842.54 eV 蓝色光排放被中心建模的量监禁光(QC-

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