Analysis of Ground-state Zero-field Splitting for Mn2+ Ions in [Co(H2O)]XY6 (X=Si, Sn, Pt; Y=F, Cl)

来源 :武汉理工大学学报(材料科学版)(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:bkln81
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The electron paramagnetic spectra of trigonal Mn2+ centers in [Co(H2O)6]SiF6, [Co(H2O)6] SnF6, and [Co(H2O)6]PtCl6 crystals were studied on the basis of the complete energy matrices for a d5 configuration ion in a trigonal ligand field. When Mn2+ is doped in the [Co(H2O)6]SiF6, [Co(H2O)6]SnF6, and [Co(H2O)6]PtCl6 crystals crystals, there is a similar local distortion. The experimental results show that the local lattice structure around a trigonal Mn2+ center has an elongation distortion along the crystalline C3 axis. From the EPR calculation, the local lattice structure parameters R=2.278A, θ=52.6406? for [Co(H2O)6]SiF6, R=2.280, θ=52.4936° for [Co(H2O)6]SnF6 and R=2.244A, θ=53.0616? for [Co(H2O)6]PtCl6 were determined.
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光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷.首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻变化分析,结合电路原理和版图,提出失效区域的假设,再进行电压衬度像分析,通过衬度翻转可精确和快速确定缺陷位置,最后通过FIB或者TEM对缺陷进行表征.案例研究显示,有源电压衬度可定位双极型电路铝金属化开路失效,无源电压衬度定位CMOS电路多晶硅栅刻蚀异常引起的漏电流失效,结合形貌和材料分析得出缺陷形成机理和根本原因.
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