【摘 要】
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文章建立了直接测定半导体二级40%含量氢氟酸(CMOSⅡ40%-HF)多元素含量的方法。以膜去溶作为进样系统,电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)作为分析仪器,分别采用热焰和冷焰模式
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文章建立了直接测定半导体二级40%含量氢氟酸(CMOSⅡ40%-HF)多元素含量的方法。以膜去溶作为进样系统,电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)作为分析仪器,分别采用热焰和冷焰模式分析,首先测定CMOSⅡ 40%-HF,然后测定以Be、Co、In和Bi作为加标的CMOSⅡ 40%-HF,加标样品测定加标回收率,同时测定Na、Mg、K、Ca和Fe的检出限。实验结果证明该方法具有进样速度快、精密度高等优点,冷焰模式降低了Na、Mg、K、Ca和Fe的检出限,同时降低了CMOSⅡ40%-HF的检出下限,提高了准确度。膜去溶与ICP-MS联用是快速分析高纯度HF中金属离子的有效方法,膜去溶的使用解决了使用玻璃雾化器和石英炬管时HF无法直接进样的问题,有效地减小了基体干扰,同时冷焰模式提高了碱金属元素的测量精度。
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