【摘 要】
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本文叙述AuCr-p型GaAs欧姆接触电阻与合金温度的关系.指出在N_2保护下,经415～430℃的温度合金30～40秒,可获得接触电阻最小值.这一合金条件的平均接触电阻率为1.7×10~(-7)Ω·c
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本文叙述AuCr-p型GaAs欧姆接触电阻与合金温度的关系.指出在N_2保护下,经415～430℃的温度合金30～40秒,可获得接触电阻最小值.这一合金条件的平均接触电阻率为1.7×10~(-7)Ω·cm~2,最佳可低达1.3×10~(-8)Ω·cm~2.本文还探讨了Cr-p型GaAs在不同合金温度下的欧姆接触机理.
This paper describes the relationship between the ohmic contact resistance of AuCr-p-type GaAs and the temperature of the alloy, and points out that the minimum contact resistance is obtained under the N 2 protection at a temperature of 415-430 ° C for 30-40 seconds. The average contact resistance The rate is 1.7 × 10 -7 Ω · cm -2, and the optimum is as low as 1.3 × 10 -8 Ω · cm 2. The effects of Cr-p type GaAs at different alloy temperatures Ohm contact mechanism.
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