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采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta2O5)薄膜．利用Ta／Ta2O5／Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能，研究了上电极面积对I—V特性的影响、I—V曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响．结果表明，随着上电极面积增大，电容的漏电流密度增大，击穿场强减小．氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大，击穿强度降低．当上电极直径为1mm时，MIM电容的性能最佳：击穿强度为2．22MV／cm，漏电流密度低于1×10^-8A／c