GdI3:Ce晶体的生长及其闪烁性能研究

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通过坩埚下降法生长GdI3:2%Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到?15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能。XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI3:2%Ce与无掺杂GdI3晶体结构相同。X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI3:2%Ce晶体在450-700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位
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