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一条宽带双反馈的低噪音放大器(LNA ) 被分析，设计并且实现了使用 SiGe 异质接面双极的晶体管(HBT ) 技术。设计分析以获得，匹配的输入和输出，为放大器的噪音和杆详细被介绍。完全的薄片的区域死包括结合的垫和封口戒指， 655 是 m ??????????？？
Analysis, Design and Implementation of SiGe Wideband Dual-Feedback Low Noise Amplifier
【摘 要】
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一条宽带双反馈的低噪音放大器(LNA ) 被分析，设计并且实现了使用 SiGe 异质接面双极的晶体管(HBT ) 技术。设计分析以获得，匹配的输入和输出，为放大器的噪音和杆详细被介绍。完
【机 构】
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SchoolofElectronicInformationEngineering,InstituteofMicroelectronics,TsinghuaNationalLaboratoryforIn
【出 处】
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Transactions of Tianjin University
【发表日期】
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2014年4期
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