【摘 要】
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利用RF磁控溅射技术(Ar,N2和O2混合气体,Ti金属靶)制备TiO2-xNx薄膜.用XRD和XPS对其结构和组成进行表征,结果表明:在实验系统中的N2含量在13%～17%之间,可以得到高质量的TiO2
【机 构】
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东北师范大学先进光电功能材料研究中心,东北师范大学先进光电功能材料研究中心,中国科学院激发态重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院激发态重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理
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利用RF磁控溅射技术(Ar,N2和O2混合气体,Ti金属靶)制备TiO2-xNx薄膜.用XRD和XPS对其结构和组成进行表征,结果表明:在实验系统中的N2含量在13%～17%之间,可以得到高质量的TiO2-xNx薄膜,β-N为TiO2-xNx薄膜的主要成分;不同含N量的TiO2-xNx薄膜的结构和组成的光学催化活性不同.
The structure and composition of TiO2-xNx films were characterized by RF magnetron sputtering (Ar, N2 and O2 mixed gas, Ti metal target). The results showed that the content of N2 in the experimental system was 13 % -17%, high-quality TiO2-xNx films can be obtained. Β-N is the main component of TiO2-xNx films. The photocatalytic activities of TiO2-xNx films with different content of TiO2 are different.
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