CoSi2/n—Si肖特基势垒的形成和特性

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本文利用XRD、RBS、AES和四探针等方法研究了不同温度快速热退火后的Co/Si结构薄膜固相反应形成钻硅化物的相序、组份和电学特性。并报道了性能优越的CoSi2/n-Si肖特基二极管的特性,其势垒高度为0.66eV,理想因子为1.01。
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