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利用金相法及TEM研究了γ-TiAl基(γ+α2)双相合金初生(α2/γ)片层层形成过程中的界面特征形成方式。发现合金中初生α2/γ片层组织是通过α→α^(ss,2)→α2+γ或α→α+γ→α2+γ相变方式形成的。γ片层的析出是通过在原α或α(ss,2)晶界处形核,以体积扩散控制的台阶机制生长,1000℃时γ片层的伸长速度约为(1.0-3.33)×10^-7m/s。并确定初生α2/γ界面为半共格。