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本文介绍了我们开发的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，包括不同工艺方案的设计，主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比，最后给出我们选定的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺方案及主要电学参数。
一种2μmp阱CMOS工艺
【摘 要】
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本文介绍了我们开发的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，包括不同工艺方案的设计，主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比，最后给出我们选定的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺方案及主要电学参
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1994年2期
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