【摘 要】
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本文设计了一种8管SRAM单元和相应的读写辅助电路，解决了传统6管SRAM单元低压工作存在的读写稳定性问题，实现了具有超动态电压调整（U-DVS）能力的 SRAM的设计，其工作电压范围可从亚
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本文设计了一种8管SRAM单元和相应的读写辅助电路，解决了传统6管SRAM单元低压工作存在的读写稳定性问题，实现了具有超动态电压调整（U-DVS）能力的 SRAM的设计，其工作电压范围可从亚阈值区变化到标称电压，达到SRAM低功耗和高性能的平衡。通过自适应衬底偏置电路和读缓冲器的设计，增强了 SRAM 单元低压下的读稳定性和鲁棒性。设计了可复用的读写辅助电路，同时提高 SRAM 的低压写能力和读速度。采用标准0.18-μm CMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明SRAM工作电压范围达到0.2V-1.8V
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