^6—Co—γ辐照感生Si/SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

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研究了γ辐照感生Si/SiO2慢界面态的特性及其对高频C-V测试的影响。结果表明,辐照产生的慢界面态为界面态的0.3-0.8,分布在Si禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Si-O断键或弱键。慢界面态的产生还引起C-V曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频C-V测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。
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