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报道了一种高增益高效率Ｓ波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。器件在ｆ＝２．４～２．６ＧＨｚ，Ｄ＝１０％，τｐ＝１００μｓ，Ｖｃ＝３６Ｖ条件下输出功率１００Ｗ、增益９ｄＢ、效率５０％。在ｆ＝２．６ＧＨｚ短脉宽条件下输出功率１６０Ｗ、增益８．０ｄＢ、效率６０％。
Ｓ波段100Ｗ硅脉冲功率晶体管
【摘 要】
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报道了一种高增益高效率Ｓ波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。器件在ｆ＝２．４～２．６ＧＨｚ，Ｄ＝１０％，τｐ＝１００μｓ，Ｖｃ＝３６Ｖ条件下输出功率１００Ｗ、增益９ｄＢ、效率５０％。在ｆ＝２．６ＧＨｚ短脉宽条件下输出功率１６０Ｗ、增益８．０ｄＢ、效率６０％。
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2000年2期
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