【摘 要】
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Three main ambipolar compact models for Two-Dimensional(2D)materials based Field-Effect Transistors(2D-FETs)are reviewed:(1)Landauer model,(2)2D Pao-Sah model,and(3)virtual Source Emission-Diffusion(VSED)model.For the Landauer model,the Gauss quadrature m
【机 构】
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theInstituteofMicroelectronics,theInstituteofMicroelectronics
【出 处】
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清华大学学报:自然科学版(英文版)
【基金项目】
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supported by the National Key R&D Program(Nos.2016YFA0200400 and 2018YFC2001202),the National Natural Science Foundation of China(Nos.61434001,61574083,61874065,51861145202,and U20A20168),the supp
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Three main ambipolar compact models for Two-Dimensional(2D)materials based Field-Effect Transistors(2D-FETs)are reviewed:(1)Landauer model,(2)2D Pao-Sah model,and(3)virtual Source Emission-Diffusion(VSED)model.For the Landauer model,the Gauss quadrature m
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