【摘 要】
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本设计采用国内GSMC130nmSOICMOS工艺设计了一款10Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8bitDAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130nm工
【机 构】
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华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室,南卫理工会大学物理系
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目(11875145)
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本设计采用国内GSMC130nmSOICMOS工艺设计了一款10Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8bitDAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130nm工艺下实现10Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现带宽拓展,同时兼顾了面积与功耗的考量。该芯片整体面积为2.16mm×1.24mm,采用1.2V电源供电,后仿真结果表明,在典型输入差分200mV、10Gbps的激励信号下,可提供2~8.6mA范围可调调制电流和1~3mA范围可调偏置电流。在典
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