ITO/Al_2O_3复合透明导电膜的制备及光电性能

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采用磁控溅射技术,在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜。通过高温热处理,获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2O3复合透明导电膜。研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能,结果表明,当预沉积Al层厚度为40nm左右时,UTD的结晶质量得到提高,取向性能变好,电阻降低,而且在400-800mm范围内具有很高的可见光透过率。实验表明,通过改变预沉积Al膜的厚度,可以改变ITO薄膜最大透过率对应的波长,实现ITO预器件工作波长的匹配。
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