【摘 要】
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半导体领域向SiC、GaN为代表的第三代半导体材料方向发展,以期开发出更能适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的功率半导体器件,要求滤波器向高频、高压、节能
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半导体领域向SiC、GaN为代表的第三代半导体材料方向发展,以期开发出更能适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的功率半导体器件,要求滤波器向高频、高压、节能、小型化方向发展。上述背景下,传统滤波器显然已经无法满足当前社会科技发展趋势,能否满足智能化、小型化的发展趋势就成为滤波器未来研发的重要内容。鉴于此,本研究主要分析了我司设计大功率滤波器,针对大功率滤波器研究及推广策略进行了系统的阐述,旨在希望通过本研究为大功率滤波器研发提供一定的理论参考。
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