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采用粉末溶胶法在Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备了厚度约为1．50μm，铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明：适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜，从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能，其Pr和Ec分别为13．3μ／cm2，46．2kV／cm，具有较高的应用价值。