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采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂，用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜．并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜，测试其场发射特性，并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较，得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低，为1—1．2V／μm．对碳纳米管薄膜进行老炼处理，最大场发射电流由12．3μA提高到34μA。