【摘 要】
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为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数.
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为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数.研究结果表明,晶粒尺寸决定了薄膜的压阻系数,经360℃热处理1 h后,薄膜晶粒长大,压阻系数有着明显提高(K值达到0.02 GPa-1),性能达到锰铜箔的水平.
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