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采用三维模拟软件对具有FINFET结构的SOI－MOSFET进行了模拟，研究了FINFET的I－V特性，亚阈值特性，短沟道效应等，模拟发现，通过降低fin的高度可以有效地抑制短沟道效应与提高器件的性能，因此fin的高度是器件设计中一个关键参数，模拟结果表明FINFET在特性上优于传统的单栅器件。