论文部分内容阅读
3.2 IGBT栅极与发射极并接电阻R1当IGBT栅极与发射极呈开路时,而在其集电极与发射极之间加上电压,随着集电极电位的变化,由于器件是一种MOS栅器件有其特征电容CRES(反转电容)存在(CRES=CCG),使得栅极电位升高,引起IGBT的dv/dt开通,则C—E有电流流过。这时若集电极和发射极处于高压状态,可能会使IGBT发热甚至损坏。