面结合型晶体管电荷控制器件(下)

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晶体管小信号性能在把电流和电压的小增量迭加在静态直流电平上时,便可由晶体管的大信号特性推导出晶体管的小信号特性。当把射集电压增量△V’_RE应用到本征晶体管(即基极电阻为0)上时,基极电荷必将增加,如图8(a)阴影面积所示。将额外电荷对电流和电压增量的影响分为两个步骤来讨论,是比较方便的:首先将晶体管作为理想晶体管,在这种情况下通导时基极宽度维持不变;然后 Transistor Small-Signal Performance When small increments of current and voltage are superimposed on a static DC level, small-signal characteristics of the transistor can be deduced from the large signal characteristics of the transistor. When applying a shoot delta voltage ΔV’_RE to the intrinsic transistor (ie, the base resistance is zero), the base charge will increase as shown by the shaded area in Figure 8 (a). It is convenient to divide the influence of extra charges on current and voltage increment into two steps: First, the transistor is regarded as the ideal transistor, in which case the width of the base electrode remains unchanged; then
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