【摘 要】
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本文分析了11千兆赫砷化镓场效应管介质谐振器稳频振荡器中观察到的长期频漂。该分析以建立器件的模型为基础进行的。分析中发现,对长期频漂起主要影响的是砷化镓场效应管的
【机 构】
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Rockwell International Corporation 美国
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本文分析了11千兆赫砷化镓场效应管介质谐振器稳频振荡器中观察到的长期频漂。该分析以建立器件的模型为基础进行的。分析中发现,对长期频漂起主要影响的是砷化镓场效应管的栅源沟道电容的分析结果与介质谐振器中观察到的变化趋向一致,而且理论与测量数据之间达到了很好的相关。这些观察结果普遍适用于以砷化镓场效应管作有源器件的所有振荡器。
This article analyzes the long-term frequency drift observed in a 11 GHz GaAs FET dielectric resonator frequency-stabilized oscillator. The analysis is based on building the model of the device. The analysis found that the main effect on long-term frequency drift is that the results of the gate-source channel capacitance of the gallium arsenide field-effect transistor tend to be consistent with the observed changes in dielectric resonators and that the theoretical and measured data reach a very good Good related. These observations are generally applicable to all GaAs FETs as active devices for all oscillators.
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