摘 要：在光伏产业中，多晶硅锭是产业链的前端，是生产硅片的原料，然而在生产过程中，硅锭中不可避免的会出现裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷，这些缺陷在硅锭开方成硅块后不能进行切片，需要提前切除，所以进行检测非常必要。本文主要对抛光硅块和非抛光硅块在硅块检测时，对缺陷的检测效果作出对比，并得出相关结论。
　　关键词：硅锭：硅块；红外探伤；检测；
　　【中图分类号】P631.7
　　光伏业已经成为21世纪乃至更长的时间内最具发展潜力的新兴产业之一，无论在技术研发、产业化还是市场应用方面都取得了重大进展，相关配套产业也取得了较快的进步。硅块红外探伤仪是专门用于多晶硅片生产中的对硅块进行裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷探伤的仪器，是一种无损伤检测设备[1，2]。
　　分析：1、通过以上四组实验的图片可以看出第1组图片标出的区域没有明显的深色阴影，而后三组均出现了阴影，此种情况是由于后三组是抛光后检测，而抛光过程没有将硅块表面的线痕抛平出现的。所以抛光后检测有可能出现误判硅块本身有缺陷的可能性。
　　2、对于硅块本身的缺陷情况的检验，抛光后3组相比较，A块抛光后：加毛玻璃镜头，灯管电压75v比另外两组要清晰很多，所以抛光后75v电压效果相对更好一些。
　　3、抛光前和抛光后对比，即第1组合第2组相比，虽然第二组更加清晰，但是对于硅块本身缺陷所检测出的深色阴影部分，清晰后的图片明显将第一组图片中出现的深色阴影的绒边已经消失或者减淡了，对于去除缺陷更加精确的位置不利。
　　结语：红外晶锭探伤仪在检测硅块时抛光前检测裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷更加精准，抛光后加毛玻璃镜头，灯管电压75v图像更加清晰，但抛光硅块表面的锯痕、抛光不均匀表面会在图像中表现为阴影，对裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷区域的判定会造成较大的干扰。所以，在大量的生产检测时采用第1组检测能更好的去除缺陷位置，特殊情况第一组和第二组情况结合使用效果更好。
　　参考文献：
　　【1】宋明成，全宏庆等，红外热成像无损探伤技术的应用与研究[J]，北方交通大学学报，1993.4
　　【2】张建合，郭广平；国内外飞速发展的热像无损检测技术[J]；无损探伤；2005年01期
　　【3】吕中产；主动红外无损檢测中缺陷信号的提取和分析[D]；南京航空航天大学；2006年