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本文将硅（Si）衬底上外延生长的氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）薄膜转移至含有柔性黏结层的基板上,获得了不受衬底和支撑基板束缚的LED薄膜.利用高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）研究了薄膜转移前后的应力变化,同时对其光致发光（PL）光谱的特性进行了研究.结果表明：硅衬底GaN基LED薄膜转移至柔性基板后,GaN受到的应力会由转移前巨大的张应力变为转移后微小的压应力,InGaN/GaN量子阱受到的压应力则增大;尽管LED薄膜室温无损转移至柔性基板其InGaN阱层的In组分不会改变,然而按照HRXRD倒