低功率半导体激光照射后耐药金黄色葡萄球菌与铜绿假单胞菌的耐药性变化

来源 :中国临床康复 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangshuai824
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目的:观察耐甲氧西林金黄色葡萄球菌与耐药铜绿假单胞菌经低功率半导体激光照射后,其耐药强度的变化,初步探讨激光照射治疗耐药细菌的可行性。方法:实验于2005—11/2006—01在西京医院检验科细菌实验室进行。①取临床分离菌株:耐甲氧西林金黄色葡萄球菌与耐药铜绿假单胞菌,抗生素:青霉素,头孢唑啉,头孢派酮,替卡西林。②两种细菌均分为1个对照组与4个实验组。实验组分别为20mW照射30,60min,40mW照射30,60min。实验组菌液每天照射1次,连续4d。对照组不照射。③青霉素与头孢唑啉测试耐甲氧西林金
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