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研究了由致密PbZr0.38 Ti 0.62 O 3 和多孔PbZr 0.38 Ti 0.62 O 3 膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行 为.在10 2 ~10 6 Hz的频率范围, 观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区的介电损耗峰归因于空间电荷极化. 通过俄歇电子谱和电子顺磁共振谱分析, 初步判定遵从Arrhenius 律、热激活能为0.49 eV的高频介电驰豫则起源 于氧空位V ¨ 0 和Ti 3 形成的极性缺陷复合体V ¨ 0 -Ti 3 对交变电场的响应.