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对P-硅基体的MOS，MNS，MNOS3种钝化系统通过C-V特性测试和电性能分析，系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态，介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／Ilp-Si太阳电池，通过工艺优化，MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。
MIS／IL p—Si太阳电池的几种低温表面钝化
【摘 要】
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对P-硅基体的MOS，MNS，MNOS3种钝化系统通过C-V特性测试和电性能分析，系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态，介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／Ilp-Si太
【机 构】
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上海交通大学应用物理系太阳能研究所
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2001年1期
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