【摘 要】
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过渡金属硫系化合物二维材料因其体积小、直接带隙发光等特点,可作为微纳光学结构的优异介质材料而受到广泛关注。通过转移法得到的二维材料微纳光学结构,如光学微腔、微纳传
【机 构】
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上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(NSFC11604210)
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过渡金属硫系化合物二维材料因其体积小、直接带隙发光等特点,可作为微纳光学结构的优异介质材料而受到广泛关注。通过转移法得到的二维材料微纳光学结构,如光学微腔、微纳传感器等,容易引起材料污染和破损,对结构的功能特性影响很大。通过化学气相沉积法(CVD),将硒化钨直接沉积在6μm直径的二氧化硅(SiO2)微球上,对微球上的材料进行成分表征,证明在微球上生长出了二维材料硒化钨,且证明了通过化学气相沉积法在曲面上沉积二维材料是可行的。这种化学气相沉积法直接生长的二维材料微纳球腔,有望应用于高性能光学传感器和微纳光源
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