【摘 要】
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以不同BET气化In2O3和SnO2粉(In2O3/SnO2=9:1)为原料,使用模压辅助冷等静压(CIP)成型的方法制备出ITO坯体,又在不同温度条件下烧结制得ITO靶材。本文研究了原始粉BET、CIP最
【机 构】
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中国船舶重工集团公司第七二五研究所纳米中心;
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以不同BET气化In2O3和SnO2粉(In2O3/SnO2=9:1)为原料,使用模压辅助冷等静压(CIP)成型的方法制备出ITO坯体,又在不同温度条件下烧结制得ITO靶材。本文研究了原始粉BET、CIP最高压力与烧结温度对靶材微观结构及结瘤的影响,结果表明:BET更大的A配方粉末烧结活性更高,在较低的烧结温度即可致密,而微观结构致密性的提高有利于防止靶材结瘤;当CIP压力由285MPa提高至400MPa,坯体各方向收缩率明显增加,且相对密度由64.90%提高至70.23%,CIP压力继续提高至500MPa,坯体密度不再继续增加,稳定在70%左右;在1540℃常压氧气氛烧结20h后,CIP压力为285MPa和400MPa的靶材相对密度均超过99.8%,晶粒尺寸均在4～10μm,但前者含少量尺寸在2μm以下的微孔,而后者微观致密性更好、晶内小微粒尺寸更大,且溅射后未出现结瘤;在1575℃常压氧气氛烧结20h后,CIP压力为285MPa和400MPa的靶材相对密度均超过99.8%,均未出现微孔缺陷,但靶材晶粒尺寸均偏大,范围大致在4～17μm,其中400MPa靶材出现了更多数量的异常大晶粒;当CIP压力均为400MPa时,1575℃烧结靶材结瘤偏多,而1540℃烧结靶材未出现结瘤。
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