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对注Ｆ ＭＯＳＦＥＴ和ＣＣ４００７电路进行了＾６０Ｃｏ－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｆ的引入，能明显减小ＣＣ４００７电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抑制高温贮藏引起的ＣＣ４００７电路漏电流的退化，减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度，Ｆ－Ｓｉ键的形成将减小ＭＯＳ栅氧介质的电导率。