一种模拟电子—固体相互作用的简单的蒙特卡罗方法及其在电子探针分析上的应用

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本文叙述了一个根据Curgenve和Duncumb方法导出的蒙特卡罗方法。文章指出,此模型推出的结果同背反射电子能量分布及φ(βZ)曲线的实验结果是一致的。这个模型曾用于得到各种分析条件下的φ(βZ)曲线。根据这些数据,作者审查了x射线产生的平均深度随加速电压、过电位、靶的原子序数的变化情况。导出了平均深度的表达式,并同用Philibert模型导出的表达式作了比较。 This article describes a Monte Carlo method derived from the Curgenve and Duncumb methods. The article points out that the results of this model are consistent with the experimental results of back reflection electron energy distribution and φ (βZ) curve. This model was used to obtain φ (βZ) curves for various analytical conditions. Based on these data, the authors examined the average depth of x-ray generation as a function of accelerating voltage, overpotential, and atomic number of the target. The average depth expression is derived and compared to the expression derived using the Philibert model.
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