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以直流磁控溅射制备了类金刚石薄膜，采用原子力显微镜（AFM）观察薄膜的表面形貌，采用俄歇电子能谱（AES）分析薄膜的化学键和电子结构。将参数D定义为俄歇电子能谱（AES）中最大正峰和最低负峰之间的距离，用俄歇电子能谱中的D值求得不同沉积气压条件下制备的薄膜的sp^2键的百分含量和sp^2键与sp^2键比率。采用紫外-可见光透射光谱（UV-Vis）分析了薄膜的光吸收特性和光学带隙。结果表明：沉积气压低于0．8Pa时，sp^2键的百分含量随沉积气压的增大而减小；薄膜的光学性质受光学带隙的直接影响。